STMicroelectronics STripFET STB160N75F3 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-7477
Herst. Teile-Nr.:: STB160N75F3
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET STB160N75F3 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 168-7477
Herst. Teile-Nr.:: STB160N75F3
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	STripFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C