Infineon HEXFET IRFB4310PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 130 A 300 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 913-3979
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4310PBF
- Marke:
- Infineon
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- 913-3979
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4310PBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MX
Produktdetails
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
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MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 130 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.82mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.66mm |
| Höhe | 9.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 913-3979
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4310PBF
- Marke:
- Infineon
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