Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
913-4809
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2705TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 28A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLR2705TRPBF


Dieser MOSFET wurde für eine hervorragende Leistung in einer Reihe von elektronischen Anwendungen entwickelt. Er nutzt die modernen Fortschritte in der MOSFET-Technologie und spielt eine wichtige Rolle bei Schaltanwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Seine besonderen Eigenschaften machen ihn zu einer hervorragenden Option für Automatisierungs- und elektrische Systeme, die eine hohe Strombelastbarkeit und einen robusten Betrieb erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• Hoher Dauerableitungsstrom von 28 A verbessert die Leistung

• Maximale Nennspannung von 55 V erhöht die Schaltfähigkeit

• Niedriger Einschaltwiderstand von 65 mΩ minimiert den Energieverlust

• Funktioniert effektiv bei Temperaturen von bis zu +175°C

• Entwickelt für die Oberflächenmontage in einem DPAK TO-252-Gehäuse für Effizienz

• Einzelne Enhancement-Mode-Konfiguration erleichtert das Schaltungsdesign

Anwendungsbereich


• Geeignet für das Energiemanagement in der industriellen Automatisierung

• Ideal für energieeffizientes Schalten in Stromversorgungen

• Häufig in Motorsteuerungsschaltungen verwendet

• Geeignet für den Einsatz in DC-DC-Wandlern

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung für dieses Bauteil?


Die maximale Verlustleistung beträgt 68 W und ermöglicht ein effizientes Wärmemanagement während des Betriebs.

Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Nutzung aus?


Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist damit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Gibt es eine spezielle Installationsmethode für diesen MOSFET?


Das Gerät ist für die Oberflächenmontage mit Techniken wie Löten ausgelegt, um zuverlässige Verbindungen zu gewährleisten.

Kann dieser MOSFET parallel zu anderen verwendet werden?


Ja, er kann in parallelen Konfigurationen verwendet werden, aber ein angemessenes Wärmemanagement ist unerlässlich, um eine Überhitzung zu vermeiden.

Welche Art von Torantrieb wird für eine optimale Leistung empfohlen?


Für ein effizientes Schalten wird ein Logic-Level-Gate-Treiber empfohlen, der sicherstellt, dass der Baustein innerhalb seiner spezifizierten Schwellenwerte arbeitet.

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