Infineon HEXFET IRF9Z24NSTRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 915-4991
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z24NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF9Z24NSTRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 915-4991
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z24NSTRLPBF
Marke:: Infineon

IRF9Z24NSPbF P-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	175 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	11.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Höhe	4.83mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRF9Z24NSTRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Verwandte Produkte