Wolfspeed C3M0120090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 23 A 97 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 915-8849P
Herst. Teile-Nr.:: C3M0120090D
Marke:: Wolfspeed

Wolfspeed C3M0120090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 23 A 97 W, 3-Pin TO-247

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10 - 29	8,03 €
30 - 89	7,81 €
90 +	7,63 €

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RS Best.-Nr.:: 915-8849P
Herst. Teile-Nr.:: C3M0120090D
Marke:: Wolfspeed

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	23 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.8V
Verlustleistung max.	97 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +18 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	SiC
Breite	21.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17,3 nC @ 15 V
Länge	16.13mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	5.21mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	4.8V