Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte.
• MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null. • Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb • Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften • Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb • Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen
