onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 917-5475
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS5670
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.027Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.027Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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