Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
919-4895
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ24NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982

Höhe

8.77mm

Breite

4.69 mm

Länge

10.54mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRLZ24NPBF


Dieser MOSFET ist ein wesentliches Bauteil für verschiedene Leistungsanwendungen und bekannt für seine effiziente Leistung und robusten Spezifikationen. Die HEXFET-Technologie von Infineon gewährleistet Präzision in elektronischen Designs und ist daher eine beliebte Option in der Automatisierungs- und Maschinenbauindustrie. Sie steuert den Stromfluss in Geräten und hat damit erhebliche Auswirkungen auf moderne elektrische Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 18 A für hohe Leistung

• Arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V für vielseitige Anwendungen

• Niedrige Gate-Schwellenspannung minimiert den Energieverlust während des Betriebs

• Niedriger Drain-Source-Widerstand für verbesserte Effizienz

• Mit Enhancement-Mode-Fähigkeit für präzises Schalten

• Kann Temperaturen von bis zu +175°C standhalten und ist somit auch unter rauen Bedingungen funktionsfähig

Anwendungsbereich


• Einsatz für das Energiemanagement in industriellen Automatisierungssystemen

• Integriert in Schaltnetzteile für optimale Leistung

• Einsatz in Motorantriebsschaltungen zur besseren Steuerung

• In verschiedenen Unterhaltungselektronikgeräten für zuverlässige Leistung eingebaut

Welches sind die empfohlenen Gate-Source-Spannungen für einen ordnungsgemäßen Betrieb?


Der Baustein kann eine maximale Gate-Source-Spannung von -16V bis +16V verarbeiten und gewährleistet eine stabile Leistung.

Kann dieses Bauteil in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?


Ja, er arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist für verschiedene Anwendungen geeignet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf den Energieverbrauch aus?


Ein niedriger Drain-Source-Widerstand minimiert die Verlustleistung, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.

Welche Überlegungen sollten bei der Installation angestellt werden?


Die Montageart sollte sorgfältig ausgewählt werden, um eine sichere Installation und eine angemessene Kühlung zu gewährleisten, um eine Überhitzung zu vermeiden.

Ist dieses Bauteil mit dem Standard TO-220AB-Gehäuse kompatibel?


Ja, sein Design entspricht dem TO-220AB-Standard, was eine einfache Integration in bestehende Systeme ermöglicht.

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