IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 920-0735
Herst. Teile-Nr.:: IXFN140N20P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	115 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HiperFET, Polar
Gehäusegröße	SOT-227
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	18 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	680 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	25.42mm
Länge	38.23mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	240 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C