- RS Best.-Nr.:
- 920-0782
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH36N50P
- Marke:
- IXYS
300 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
8,995 €
(ohne MwSt.)
10,704 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
30 - 30 | 8,995 € | 269,85 € |
60 - 120 | 8,635 € | 259,05 € |
150 + | 8,366 € | 250,98 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 920-0782
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH36N50P
- Marke:
- IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Gehäusegröße | TO-247AD |
Serie | HiperFET, Polar |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 170 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Verlustleistung max. | 540 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 16.26mm |
Breite | 5.3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
Höhe | 21.46mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Verwandte Produkte
- IXYS HiperFET THT MOSFET 500 V / 16 A 300 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET THT MOSFET 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET THT MOSFET 500 V / 44 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
- IXYS HiperFET THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
- IXYS HiperFET THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD