DiodesZetex ZXMN2B14FHTA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 922-8036
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2B14FHTA
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMN2B14FHTA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23

Voraussichtlich ab 24.06.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,321 €

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0,382 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	0,321 €	963,00 €

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RS Best.-Nr.:: 922-8036
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2B14FHTA
Marke:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 922-8036
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2B14FHTA
Marke:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	1,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Breite	1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 4,5 V
Höhe	1.12mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	1,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Breite	1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 4,5 V
Höhe	1.12mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

DiodesZetex ZXMN2B14FHTA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.

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