Cypress Semiconductor NVRAM 1MBit 128K x 8 bit Seriell-SPI SMD, DFN 8-Pin 6 x 5 x 0.73mm
- RS Best.-Nr.:
- 181-8264
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101Q2-LHXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 181-8264
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101Q2-LHXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 6 x 5 x 0.73mm | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 0.73mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 6 x 5 x 0.73mm | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 0.73mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
1 Mbit nichtflüchtiger statischer Random Access Memory (NVSRAM)
Intern organisiert als 128K x 8
Nicht flüchtige Elemente von Store to QuantumTrap werden automatisch beim Ausschalten (AutoStore) oder durch den Benutzer über HSB-Stift (Hardware STORE) oder SPI-Befehl (Software STORE) ausgelöst
Abrufen an SRAM beim Einschalten (Power-Up RECALL) oder durch SPI-Befehl (Software RECALL)
Automatische STORE beim Ausschalten mit einem kleinen Kondensator (außer CY14B101Q1)
Hohe Zuverlässigkeit
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen zu QuantumTrap
Datenspeicherung: 20 Jahre
Serielle Hochgeschwindigkeits-Peripherieschnittstelle (SPI)
40 MHz Taktrate
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Schreibschutz
Hardware-Schutz mit Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 %, -10 %
Durchschnittlicher Wirkstrom von 10 mA bei 40-MHz-Betrieb
Industriestandard-Konfigurationen
Industrietemperatur
CY14B101Q1 hat die gleiche Pinkonfiguration wie der 8-polige NV-Speicher nach Industriestandard
8-poliges Dual-Flat-No-Lead-Gehäuse (DFN) und 16-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Intern organisiert als 128K x 8
Nicht flüchtige Elemente von Store to QuantumTrap werden automatisch beim Ausschalten (AutoStore) oder durch den Benutzer über HSB-Stift (Hardware STORE) oder SPI-Befehl (Software STORE) ausgelöst
Abrufen an SRAM beim Einschalten (Power-Up RECALL) oder durch SPI-Befehl (Software RECALL)
Automatische STORE beim Ausschalten mit einem kleinen Kondensator (außer CY14B101Q1)
Hohe Zuverlässigkeit
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen zu QuantumTrap
Datenspeicherung: 20 Jahre
Serielle Hochgeschwindigkeits-Peripherieschnittstelle (SPI)
40 MHz Taktrate
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Schreibschutz
Hardware-Schutz mit Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 %, -10 %
Durchschnittlicher Wirkstrom von 10 mA bei 40-MHz-Betrieb
Industriestandard-Konfigurationen
Industrietemperatur
CY14B101Q1 hat die gleiche Pinkonfiguration wie der 8-polige NV-Speicher nach Industriestandard
8-poliges Dual-Flat-No-Lead-Gehäuse (DFN) und 16-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)