Cypress Semiconductor NVRAM 1MBit 128K x 8 bit 25ns SMD, SOIC 32-Pin 20.87 x 7.59 x 2.29mm
- RS Best.-Nr.:
- 182-0321
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-SZ25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 32,70 € |
| 5 - 9 | 30,64 € |
| 10 - 24 | 29,73 € |
| 25 - 49 | 28,81 € |
| 50 + | 28,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-0321
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-SZ25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 25ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Abmessungen | 20.87 x 7.59 x 2.29mm | |
| Länge | 20.87mm | |
| Breite | 7.59mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 25ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 32 | ||
Abmessungen 20.87 x 7.59 x 2.29mm | ||
Länge 20.87mm | ||
Breite 7.59mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
20 ns, 25 ns und 45 ns Zugriffszeiten
Intern organisiert als 128 K x 8 (CY14B101LA) oder 64 K x 16 (CY14B101NA)
Automatische STORE-Funktion beim Ausschalten mit nur einem kleinen Kondensator
Nichtflüchtige Elemente von Store-to-Quantum-Trap, die durch Software, Gerätestift oder automatische Speicherung beim Ausschalten ausgelöst werden
Aufruf an SRAM durch Software oder Einschalten
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für Quantum-Trap
20 Jahre Datenspeicherung
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 % bis -10 %
Industrietemperatur
Gehäuse
32-poliger, kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)
44-/54-poliges dünnes Small Outline Package (TSOP) Typ II
48-poliges Schrumpfschlauchgehäuse (SSOP)
FBGA (48-Ball Fine Pitch Ball Grid Array)
Bleifrei
Intern organisiert als 128 K x 8 (CY14B101LA) oder 64 K x 16 (CY14B101NA)
Automatische STORE-Funktion beim Ausschalten mit nur einem kleinen Kondensator
Nichtflüchtige Elemente von Store-to-Quantum-Trap, die durch Software, Gerätestift oder automatische Speicherung beim Ausschalten ausgelöst werden
Aufruf an SRAM durch Software oder Einschalten
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für Quantum-Trap
20 Jahre Datenspeicherung
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 % bis -10 %
Industrietemperatur
Gehäuse
32-poliger, kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)
44-/54-poliges dünnes Small Outline Package (TSOP) Typ II
48-poliges Schrumpfschlauchgehäuse (SSOP)
FBGA (48-Ball Fine Pitch Ball Grid Array)
Bleifrei