Infineon NVRAM 1MBit 128K x 8 bit Parallel 45ns SMD, SSOP 48-Pin 0.63 x 0.29 x 0.09Zoll
- RS Best.-Nr.:
- 194-9062
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-SP25XI
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101LA-SP25XI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Parallel | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Abmessungen | 0.63 x 0.29 x 0.09Zoll | |
| Länge | 16mm | |
| Breite | 7.37mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Interface-Typ Parallel | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Abmessungen 0.63 x 0.29 x 0.09Zoll | ||
Länge 16mm | ||
Breite 7.37mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Cypress CY14B104LA/CY14B104NA ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 512 KB mit jeweils 8 Bit oder 256 KB mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige, nicht flüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen QuantumTrap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nicht flüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Betrieb) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.
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