Cypress Semiconductor NVRAM 256kbit 32K x 8 bit Parallel 45ns SMD, TSOP 44-Pin 18.51 x 10.26 x 1.04mm
- RS Best.-Nr.:
- 194-9091
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 194-9091
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B256LA-ZS25XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Parallel | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Länge | 18.51mm | |
| Breite | 10.26mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Anzahl der Wörter | 32K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Interface-Typ Parallel | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Länge 18.51mm | ||
Breite 10.26mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Anzahl der Wörter 32K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Der Cypress CY14B256LA ist ein schneller statischer RAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 32 KB mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.
