onsemi FOD SMD Optokoppler DC-In / IGBT, MOSFET-Out, 8-Pin SMT, Isolation 5000 Vrms
- RS Best.-Nr.:
- 189-0519
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD3125S
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Montage Typ | SMD | |
| Ausgangsschaltung | IGBT, MOSFET | |
| Durchlassspannung max. | 1.8V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Anzahl der Pins | 8 | |
| Gehäusetyp | SMT | |
| Eingangsstrom Typ | DC | |
| Regelanstiegszeit | 60ns | |
| Eingangsstrom max. | 16 mA | |
| Isolationsspannung | 5000 Vrms | |
| Logik Ausgang | Ja | |
| Fallzeit typ. | 60ns | |
| Serie | FOD | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Montage Typ SMD | ||
Ausgangsschaltung IGBT, MOSFET | ||
Durchlassspannung max. 1.8V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Anzahl der Pins 8 | ||
Gehäusetyp SMT | ||
Eingangsstrom Typ DC | ||
Regelanstiegszeit 60ns | ||
Eingangsstrom max. 16 mA | ||
Isolationsspannung 5000 Vrms | ||
Logik Ausgang Ja | ||
Fallzeit typ. 60ns | ||
Serie FOD | ||
Der FOD3125 ist ein 2,5-A-Ausgangsstrom-Gate-Drive-Optokoppler, der die meisten IGBT/MOSFET mit mittlerer Leistung bei hohen Temperaturen bis 125 °C betreiben kann Er eignet sich ideal für das schnelle Schalten von Leistungs-IGBT- und MOSFETs, die in Motorsteuerungs-Wechselrichteranwendungen und Hochleistungsleistungssystemen verwendet werden. Es nutzt die koplanare Verpackungstechnologie von ON Semiconductor, Optoplanar ®, und das optimierte IC-Design, um eine hohe Störfestigkeit zu erreichen, die durch eine hohe Gleichtaktunterdrückung gekennzeichnet ist. Er besteht aus einer Gallium-Aluminium-Arsenid-(AlGaAs)-Leuchtdiode, die optisch mit einem integrierten Schaltkreis mit einem Hochgeschwindigkeits-Treiber für Push-Pull-MOSFET-Ausgangsstufe gekoppelt ist.
Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C.
Hohe Störfestigkeit, charakterisiert durch 35 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
2,5 A Peak Ausgangsstrom-Ansteuerbarkeit für die meisten 1200 V/20 A IGBT
Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe der Versorgungsschiene
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Großer Versorgungsspannungsbereich von 15 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Max. 400 ns Laufzeit
100 ns max Pulsbreitenverzerrung
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Anwendungen
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
Hohe Störfestigkeit, charakterisiert durch 35 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
2,5 A Peak Ausgangsstrom-Ansteuerbarkeit für die meisten 1200 V/20 A IGBT
Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe der Versorgungsschiene
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Großer Versorgungsspannungsbereich von 15 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Max. 400 ns Laufzeit
100 ns max Pulsbreitenverzerrung
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Anwendungen
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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