ROHM RU1J002YN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323

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Herst. Teile-Nr.:
RU1J002YNTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

RU1J002YN

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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