Taiwan Semiconductor 1 Transimpedanz-Verstärker Bidirektional Einfach 1500 W 36.7 V min., 2-Pin, Oberfläche 33 V max
- RS Best.-Nr.:
- 146-2328
- Herst. Teile-Nr.:
- SMCJ33CA
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Direction Typ | Bidirektional | |
| Produkt Typ | Transimpedanz-Verstärker | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Durchbruchsspannung min. Vbr | 36.7V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DO-214AB (SMC) | |
| Maximale Sperrspannung Vwm | 33V | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm | 1500W | |
| Klemmenspannung | 53.3V | |
| Prüfstrom It | 1mA | |
| Impulsspitzenstrom max. Ippm | 29A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, RoHS | |
| Serie | SMCJ | |
| Länge | 7.11mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.62mm | |
| Sperrstrom max. | 1μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Direction Typ Bidirektional | ||
Produkt Typ Transimpedanz-Verstärker | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Durchbruchsspannung min. Vbr 36.7V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DO-214AB (SMC) | ||
Maximale Sperrspannung Vwm 33V | ||
Pinanzahl 2 | ||
Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm 1500W | ||
Klemmenspannung 53.3V | ||
Prüfstrom It 1mA | ||
Impulsspitzenstrom max. Ippm 29A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, RoHS | ||
Serie SMCJ | ||
Länge 7.11mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.62mm | ||
Sperrstrom max. 1μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
TVS-Dioden SMD, bidirektional, 1500 W, Serie SMCJ, Taiwan Semiconductor
Flaches Gehäuse
Integrierte Zugentlastung
Glaspassivierte Verbindung
Ausgezeichneten Klemmwirkung möglich.
Typischer IR weniger als 1 μA über 10 V
1500 Watt Spitzenimpulsleistung mit einer 10/1000-μs-Signalform
Überspannungsschutz , Taiwan Semiconductor
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