Nexperia PMEG6010AESB Oberfläche Diode Schottky-Diode Einfach, 60 V / 1.4 A, 2-Pin DSN-1006
- RS Best.-Nr.:
- 153-0768P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMEG6010AESBYL
- Marke:
- Nexperia
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | Diode | |
| Gehäusegröße | DSN-1006 | |
| Maximaler Dauerdurchlassstrom If | 1.4A | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm | 60V | |
| Serie | PMEG6010AESB | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Spitzensperrstrom Ir | 650μA | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 10A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 625mV | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 2.4ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 600μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 270μm | |
| Länge | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ Diode | ||
Gehäusegröße DSN-1006 | ||
Maximaler Dauerdurchlassstrom If 1.4A | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm 60V | ||
Serie PMEG6010AESB | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Gleichrichter-Typ Schottky-Diode | ||
Pinanzahl 2 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Spitzensperrstrom Ir 650μA | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 10A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 625mV | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 2.4ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 600μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 270μm | ||
Länge 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Gleichrichter für 60 V, 1 A mit niedrigem Leckstrom, planarer Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky-Gleichrichter mit einem integrierten Schutzring als Belastungsschutz in einem extrem kleinen DSN1006-2 (SOD993) SMD-Gehäuse ohne Kabel.
Durchschnittlicher Durchlassstrom: IF(AV) ≤ 1 A
Sperrspannung: VR ≤ 60 V
Niedrige Durchlassspannung, typisch: VF = 525 mV
Niedriger Rückstrom, typischerweise; IR = 185 μA
Gehäuse typischerweise 270 μm
Niederspannungs-Gleichrichtung
DC/DC-Wandlung mit hohem Wirkungsgrad
Schaltnetzteil
Anwendungen mit niedrigem Stromverbrauch
Extrem schnelles Schalten
LED-Hinterleuchtung für mobile Anwendungen