Vishay TN2404K N-Kanal, Oberfläche MOSFET 240 V Erweiterung / 200 mA 0.36 W, 3-Pin TO-236
- RS Best.-Nr.:
- 180-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2404K-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- TN2404K-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TN2404K | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 240 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 200 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 0.36 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-236 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 1.12 mm | |
| Länge | 3.04 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 4 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 4.87 nC | |
| Breite | 2.64 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TN2404K | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 240 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 200 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 0.36 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-236 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 1.12 mm | ||
Länge 3.04 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 4 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 4.87 nC | ||
Breite 2.64 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 240V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 4ohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 360mW and continuous drain current of 200mA. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 2.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Easily driven without buffer
• Excellent thermal stability
• Full voltage operation
• Low error voltage
• Low input and output leakage
• Low offset voltage
• Low on resistance: 4ohms
• Low power/voltage driven
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• Secondary breakdown free: 260V
Applications
• High voltage drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors, etc
• Motor control
• Power supply, converters
• Telephone mute switches, ringer circuits
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested