Vishay TN2404K Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 240 V Erweiterung / 200 mA 0.36 W, 3-Pin TO-236
- RS Best.-Nr.:
- 180-8155
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2404K-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- TN2404K-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Serie | TN2404K | |
| Gehäusegröße | TO-236 | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.87nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 2.64 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Serie TN2404K | ||
Gehäusegröße TO-236 | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.87nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 2.64 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der oberflächenmontierbare N-Kanal-MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 240 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 4 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 360 mW und einen kontinuierlichen Ableitstrom von 200 mA. Die minimale und maximale Ansteuerungsspannung für diesen MOSFET beträgt 2,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.
Merkmale und Vorteile
• Einfacher Antrieb ohne Puffer
• Ausgezeichnete thermische Stabilität
• Vollspannungsbetrieb
• Niedrige Fehlerspannung
• Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
• Niedrige Offset-Spannung
• Niedriger Einschaltwiderstand: 4 Ohm
• Geringe Leistungs-/Spannungsversorgung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C
• Sekundärer Ausfall: 260 V
Anwendungen
• Hochspannungs-Treiber: Relais, Magnetspulen, Lampen, Hämmer, Displays, Transistoren usw.
• Motorsteuerung
• Stromversorgung, Konverter
• Telefon-Stummschalter, Klingelkreise
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-geprüft
• UIS-geprüft
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