Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 236 A 245 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6021
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
8,10 €
(ohne MwSt.)
9,64 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 30. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 8,10 € |
| 5 - 9 | 7,45 € |
| 10 - 24 | 6,96 € |
| 25 - 49 | 6,48 € |
| 50 + | 5,99 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-6021
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 236A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 136nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 236A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 136nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS Superjunction MOSFET ist ein optimiertes Gerät, das speziell auf das Off-Board EV-Lade-Marktsegmente zugeschnitten ist. Dank niedriger Gate-Ladung (Qg) und verbessertem Schaltverhalten bietet sie den höchsten Wirkungsgrad im Zielmarkt. Darüber hinaus verfügt sie über eine integrierte, schnelle Gehäusediode und eine erheblich reduzierte Rückgewinnungsladung (Qrr), was zu höchster Zuverlässigkeit in Resonanztopologien führt. Aufgrund dieser Eigenschaften erfüllt die IPW60R037CSFD die Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards des Off-Board-EV-Ladestationsmarktes und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R024CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin IPA60R360P7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal 3-Pin IPA60R280CFD7XKSA1 TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal 4-Pin NTH4L023N065M3S TO-247-4L