Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 236 A 245 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
219-6021
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R037CSFDXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

236A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

136nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS Superjunction MOSFET ist ein optimiertes Gerät, das speziell auf das Off-Board EV-Lade-Marktsegmente zugeschnitten ist. Dank niedriger Gate-Ladung (Qg) und verbessertem Schaltverhalten bietet sie den höchsten Wirkungsgrad im Zielmarkt. Darüber hinaus verfügt sie über eine integrierte, schnelle Gehäusediode und eine erheblich reduzierte Rückgewinnungsladung (Qrr), was zu höchster Zuverlässigkeit in Resonanztopologien führt. Aufgrund dieser Eigenschaften erfüllt die IPW60R037CSFD die Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards des Off-Board-EV-Ladestationsmarktes und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

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