Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon CoolMOS CSFD IPW60R024CFD7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 360 A, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 219-6016
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R024CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CSFD IPW60R024CFD7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 360 A, 3-Pin TO-247

999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

11,774 €

(ohne MwSt.)

14,011 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	11,774 €	353,22 €
60 - 60	11,185 €	335,55 €
90 +	10,479 €	314,37 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 219-6016
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R024CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPW60R024CFD7XKSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600 V ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern.

Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	360 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS CSFD
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,024 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	2