Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 360 A 320 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
219-6017
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R024CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

360A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Maximale Verlustleistung Pd

320W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

21.1 mm

Höhe

5.21mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600 V ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

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