Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 236 A 245 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 236A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 136nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 236A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 136nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS Superjunction MOSFET ist ein optimiertes Gerät, das speziell auf das Off-Board EV-Lade-Marktsegmente zugeschnitten ist. Dank niedriger Gate-Ladung (Qg) und verbessertem Schaltverhalten bietet sie den höchsten Wirkungsgrad im Zielmarkt. Darüber hinaus verfügt sie über eine integrierte, schnelle Gehäusediode und eine erheblich reduzierte Rückgewinnungsladung (Qrr), was zu höchster Zuverlässigkeit in Resonanztopologien führt. Aufgrund dieser Eigenschaften erfüllt die IPW60R037CSFD die Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards des Off-Board-EV-Ladestationsmarktes und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
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