onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A PnP HFE:100, TO-252 3-Pin

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463-111
Herst. Teile-Nr.:
MJD127T4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

100

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Polarität des Transistors

PnP

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

MJD122

Kollektor-Sperrstrom max.

10μA

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

PNP Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.

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