Vishay V10 Oberfläche Diode Schottky-Diode Einfach, 100 V / 10 A, 3-Pin TO-277
- RS Best.-Nr.:
- 710-3926
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-170
- Herst. Teile-Nr.:
- V10P10-M3/86A
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | Diode | |
| Gehäusegröße | TO-277 | |
| Maximaler Dauerdurchlassstrom If | 10A | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm | 100V | |
| Serie | V10 | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Spitzensperrstrom Ir | 150μA | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 180A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 620mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ Diode | ||
Gehäusegröße TO-277 | ||
Maximaler Dauerdurchlassstrom If 10A | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm 100V | ||
Serie V10 | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Gleichrichter-Typ Schottky-Diode | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Spitzensperrstrom Ir 150μA | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 180A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 620mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
TMBS – Trench MOS-Schottky-Gleichrichter, bis zu 20 A, Vishay Semiconductor
Die Trench MOS-Schottky-Gleichrichterserie (TMBS) von Vishay enthält eine patentierte Trench-Struktur. TMBS-Gleichrichter bieten mehrere Vorteile gegenüber planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45 V und mehr können planare Schottky-Gleichrichter ihren Vorteil von schnellen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Durchlassspannungsabfall beträchtlich einbüßen. Die patentierte TMBS-Struktur löst diese Probleme durch die Verringerung der Injektionen von Minoritätsladungsträgern, wodurch gespeicherte Aufladungen minimiert und Schaltfrequenzen verbessert werden.
Merkmale
Patentierte Trench-Struktur
Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern
Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung
Schottky-Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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