onsemi Oberfläche Diode Schnelle Erholung Einfach, 100 V / 2 A, 2-Pin DO-214AA
- RS Best.-Nr.:
- 807-5330P
- Herst. Teile-Nr.:
- ES2B
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Diode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DO-214AA | |
| Maximaler Dauerdurchlassstrom If | 2A | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm | 100V | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Gleichrichter-Typ | Schnelle Erholung | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 50A | |
| Spitzensperrstrom Ir | 350μA | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 20ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.45mm | |
| Länge | 4.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Diode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DO-214AA | ||
Maximaler Dauerdurchlassstrom If 2A | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm 100V | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Gleichrichter-Typ Schnelle Erholung | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 50A | ||
Spitzensperrstrom Ir 350μA | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 20ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.45mm | ||
Länge 4.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gleichrichterdioden, 2 A bis 9 A, Fairchild Semiconductor
Dioden und Gleichrichter, ON Semiconductor
Ganz gleich, ob Sie an einem neuen Design arbeiten oder kaufen, on Semiconductor bietet Ihnen Industriestandard-Dioden und Gleichrichter, Kleinsignal-Dioden, Schottky- und Zenerdioden. Die Komponenten bieten die beste verfügbare Kombination aus Qualität, Funktionen und Gehäuseoptionen.
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