Infineon Silizium-Verbindung Einfach 80 A 650 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
110-7096
Herst. Teile-Nr.:
IDP40E65D2XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Diodenkonfiguration

Einfach

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Maximaler Durchlassstrom If

80A

Steckschlüssel Zubehör

Siliziumverbindung

Montageart

Durchsteckmontage

Gehäusegröße

TO-220

Pinanzahl

2

Spitzensperrverzögerungszeit trr

83ns

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

650V

Maximale Durchlassspannung Vf

2.2V

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

250A

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.5 mm

Höhe

15.95mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Schnell schaltende, impulsgebergesteuerte Dioden, Infineon


Die impulsgebergesteuerten Infineon Schaltdioden sind die Familien Rapid 1 und Rapid 2 sowie die 600 V/1200 V Ultrasoft-Dioden. Die Dioden Arbeiten in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, AC/DC und die Ultrasoft-Version arbeitet in Motorantriebsanwendungen bis zu 30 kHz.

Rapid 1-Diode schaltet zwischen 18 kHz und 40 kHz

1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung

Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur)

Die Rapid 2-Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz

Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung

Geringe Umkehr-Erholzeit

Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter

Extrem schnelle Diode 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie

Zugelassen gemäß JEDEC-Standard

Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen

Geringe Leitungsverluste

Einfache Parallelschaltung

Dioden und Gleichrichter, Infineon


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