onsemi Schaltdiode Einfach 23.4 A 650 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 202-7286P
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSD2065B
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 23.4A | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 763A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler Durchlassstrom If 23.4A | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 763A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Die on Semiconductor Siliziumkarbid (Sic) Schottky-Dioden verwenden eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern.
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
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