ROHM Silizium-Verbindung Einfach 500 mA 200 V Oberfläche TO-252GE 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 223-6293P
- Herst. Teile-Nr.:
- RF501BGE2STL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 500mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-252GE | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 920mV | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 40A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 25ns | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | RF501BGE2S | |
| Breite | 6.6mm | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Maximaler Durchlassstrom If 500mA | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-252GE | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 920mV | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 40A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 25ns | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie RF501BGE2S | ||
Breite 6.6mm | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm Diode mit extrem schneller Erholung wird hauptsächlich für allgemeine Gleichrichtung verwendet. Er hat eine Sperrspannung von 200 V.
Geringe Schaltverluste
Niedrige Durchlassspannung