Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 0.5 A 200 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 796-9426
- Herst. Teile-Nr.:
- RSFDL R3
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- 796-9426
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- RSFDL R3
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 0.5A | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | Sub SMA | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 10A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 150ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.9 mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.43mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 0.5A | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße Sub SMA | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 10A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 150ns | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.9 mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.43mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Kleinsignal-Schaltdioden, Taiwan Semiconductor
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