Taiwan Semiconductor Kleinsignaldiode Einfach 200mA 1 Element/Chip THT DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1.25V
- RS Best.-Nr.:
- 796-9644
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV20 R0
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht verfügbar
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Durchlassstrom max. | 200mA | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Gehäusegröße | DO-35 | |
| Diodentechnologie | Siliziumverbindung | |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.25V | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Diodenkapazität max. | 5pF | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +200 °C | |
| Länge | 5.08mm | |
| Abmessungen | 2.28 (Dia.) x 5.08mm | |
| Durchmesser | 2.28mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Durchlassstrom max. 200mA | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montage-Typ THT | ||
Gehäusegröße DO-35 | ||
Diodentechnologie Siliziumverbindung | ||
Maximaler Spannungsabfall 1.25V | ||
Pinanzahl 2 | ||
Diodenkapazität max. 5pF | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Betriebstemperatur max. +200 °C | ||
Länge 5.08mm | ||
Abmessungen 2.28 (Dia.) x 5.08mm | ||
Durchmesser 2.28mm | ||