Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Serie 150 mA 85 V Oberfläche SC-70 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 796-9666P
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99W RF
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- BAV99W RF
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 150mA | |
| Diodenkonfiguration | Serie | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 85V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 150mA | ||
Diodenkonfiguration Serie | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 85V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW