Infineon THT SiC-Schottky Diode, 1200V / 22.8A, 2 + Tab-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 133-8555
Herst. Teile-Nr.:: IDH08G120C5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon THT SiC-Schottky Diode, 1200V / 22.8A, 2 + Tab-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 133-8555
Herst. Teile-Nr.:: IDH08G120C5XKSA1
Marke:: Infineon

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Ursprungsland:: MY

Produktdetails

thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon

Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen.

Verminderte elektromagnetische Störungen

Dioden und Gleichrichter, Infineon

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-220
Dauer-Durchlassstrom max.	22.8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	1200V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2 + Tab
Maximaler Spannungsabfall	2.85V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch	70A