Infineon THT SiC-Schottky Diode, 1200V / 31.9A, 2 + Tab-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 133-8556
Herst. Teile-Nr.:: IDH10G120C5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon THT SiC-Schottky Diode, 1200V / 31.9A, 2 + Tab-Pin TO-220

Voraussichtlich ab 24.11.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 500)

3,167 €

(ohne MwSt.)

3,769 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
500 +	3,167 €	1.583,50 €

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RS Best.-Nr.:: 133-8556
Herst. Teile-Nr.:: IDH10G120C5XKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon

Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen.

Verminderte elektromagnetische Störungen

Dioden und Gleichrichter, Infineon

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-220
Dauer-Durchlassstrom max.	31.9A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	1200V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2 + Tab
Maximaler Spannungsabfall	2.6V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch	99A