- RS Best.-Nr.:
- 145-1729
- Herst. Teile-Nr.:
- V20120S-E3/4W
- Marke:
- Vishay
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TMBS – Trench MOS-Schottky-Gleichrichter, bis zu 20 A, Vishay Semiconductor
Die Trench MOS-Schottky-Gleichrichterserie (TMBS) von Vishay enthält eine patentierte Trench-Struktur. TMBS-Gleichrichter bieten mehrere Vorteile gegenüber planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45 V und mehr können planare Schottky-Gleichrichter ihren Vorteil von schnellen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Durchlassspannungsabfall beträchtlich einbüßen. Die patentierte TMBS-Struktur löst diese Probleme durch die Verringerung der Injektionen von Minoritätsladungsträgern, wodurch gespeicherte Aufladungen minimiert und Schaltfrequenzen verbessert werden.
Merkmale
Patentierte Trench-Struktur
Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern
Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung
Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern
Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung
Schottky-Gleichrichter, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Dauer-Durchlassstrom max. | 20A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 120V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | Schottky |
Pinanzahl | 3 |
Maximaler Spannungsabfall | 1.12V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodentechnologie | Schottky |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 200A |
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