- RS Best.-Nr.:
- 177-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N5402-E3/54
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Universal-Gleichrichter 1N5400–1N5408 von Vishay aus Kunststoff
1N5400–1N5408 von Vishay sind eine Serie universeller Gleichrichter. Die Gleichrichter dieser Serie sind mit einem geformten Epoxidharzgehäuse mit dem Format DO-201AD ausgestattet.
Eigenschaften und Vorteile:
Fähig zur Bewältigung hoher Stoßspannungen in Durchlassrichtung
Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
Geringer Leckstrom
Tauchlöten bei +245 °C für max. 10 Sekunden.
Schwer entflammbar gemäß UL94 V-O
> 500 ns Standard Recovery.
Großer Betriebstemperaturbereich von –50 °C bis +150 °C.
Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102.
Ein farbiges Band kennzeichnet das Kathodenende.
Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
Geringer Leckstrom
Tauchlöten bei +245 °C für max. 10 Sekunden.
Schwer entflammbar gemäß UL94 V-O
> 500 ns Standard Recovery.
Großer Betriebstemperaturbereich von –50 °C bis +150 °C.
Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102.
Ein farbiges Band kennzeichnet das Kathodenende.
Produktanwendungen:
Die Gleichrichter 1N5400–1N5408 sind ideal für universelle Gleichrichtung in Stromwandlern, Wechselrichtern, Freilaufdioden und Netzteilen.
Die Hochleistungs-Schottky-Gleichrichterdiode von Vishay weist einen sehr niedrigen Spannungsabfall im Vorwärtsbetrieb mit einer sehr schnellen Schaltwirkung auf. Er wird in Niederspannungs-Hochfrequenzwechselrichtern, Freilauf-, DC/DC-Wandlern und Polaritätsschutzanwendungen eingesetzt.
Betriebstemperaturbereich von -65 bis +125 °C.
Sehr geringe Leitungsverluste.
Sehr geringe Leitungsverluste.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | DO-201AD |
Dauer-Durchlassstrom max. | 3A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 200V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Universal |
Diode Typ | Rectifier |
Pinanzahl | 2 |
Maximaler Spannungsabfall | 1.2V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
Durchmesser | 5.3mm |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 200A |
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