onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 30A, 2-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 178-4631
Herst. Teile-Nr.:: FFSH3065A
Marke:: onsemi

onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 30A, 2-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: FFSH3065A
Marke:: onsemi

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Datasheet FFSH3065A

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-247-2L
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-247-2L

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
PFC
Industrielle Stromversorgung
Solar
EV-Ladegerät
UPS
Schweißen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-247
Dauer-Durchlassstrom max.	30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch	1.125kA