STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode, 650V / 20A, 2-Pin DO-247
- RS Best.-Nr.:
- 178-7431
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC20065WY
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 600 + | 3,956 € | 2.373,60 € |
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- 178-7431
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC20065WY
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Kfz-Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics
Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid) ist ein äußerst leistungsstarker Schottky-Gleichrichter. Diese Teile mit dem Suffix -Y an der Artikelnummer weisen Kfz-Qualität auf und sind konform mit AEC-Q101.
• Die hohe Effizienz steigert den Wert des Stromwandlers
• Reduziert die Größe und Kosten eines Stromwandlers
• Niedrige EMV-Stöße, vereinfacht die Zertifizierung und reduziert die Markteinführungszeit
• Natürliche hohe Widerstandsfähigkeit sorgt für sehr hohe Zuverlässigkeit
• Reduziert die Größe und Kosten eines Stromwandlers
• Niedrige EMV-Stöße, vereinfacht die Zertifizierung und reduziert die Markteinführungszeit
• Natürliche hohe Widerstandsfähigkeit sorgt für sehr hohe Zuverlässigkeit
• Keine oder vernachlässigbare Sperrverzögerung
• Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur
• Hohe Vorwärts-Stoßspannungsfestigkeit
• PPAP-fähig
• ECOPACK 2-konforme Komponente
• ECOPACK 2-konforme Komponente
• AEC-Q101-qualifiziert
RS-Produktcodes
110-6562 650-V-10-A-D²PAK-SiC-Schottky-Diode STPSC10H065GY-TR
124-1124 650-V-12-A-TO-220AC-SiC-Schottky-Diode STPSC12065DY
124-1127 650-V-20-A-TO-220AC-SiC-Schottky-Diode STPSC20065DY
124-1128 650-V-20-A-DO-247-SiC-Schottky-Diode STPSC20065WY
124-1129 650-V-20-A-TO-247-SiC-Schottky-Zweifach-Diode STPSC40065CWY
Zulassungen
AEC-Q101
Dioden und -Gleichrichter, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | DO-247 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 20A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.65V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 400A |
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