onsemi SMD SiC-Schottky Diode , 650V / 9.1A, 3-Pin DPAK

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Hohe UIS, Stoßstrom und Avalanche
Hohe Abzweigtemperatur
Niedrige Vf
Kein Qrr
49 mJ @ 25 °C.
TJ = 175 °C.
1,41 V
<100 nC
Anwendungen
PFC