onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 22.5A, 2-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 194-5755
Herst. Teile-Nr.:: FFSP2065B
Marke:: onsemi

onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 22.5A, 2-Pin TO-220

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück

5,13 €

(ohne MwSt.)

6,10 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 +	5,13 €

RS Best.-Nr.:: 194-5755
Herst. Teile-Nr.:: FFSP2065B
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet FFSP2065B

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-220-2L

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-220-2L

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Abzweigtemperatur
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
175 °C.
94 mJ
Anwendungen
Allgemeine Anwendungen
SMPS
Solarwechselrichter
UPS
Stromversorgungsschaltkreis

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-220
Dauer-Durchlassstrom max.	22.5A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch	882A