onsemi THT SiC-Schottky Diode 2 Paar gemeinsame Kathode, 650V / 40A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 195-2626
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSH4065BDN-F085
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 40 A, 650 V, D2, TO-247-3L Auto SiC 650 V
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.
Max. Abzweigtemperatur 175 °C.
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 40A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | 2 Paar gemeinsame Kathode |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 3 |
| Maximaler Spannungsabfall | 2.4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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