onsemi SMD SiC-Schottky Diode , 650V / 10.1A, 2+Tab-Pin D2PAK

RS Best.-Nr.:: 195-8856
Herst. Teile-Nr.:: FFSB0865B-F085
Marke:: onsemi

onsemi SMD SiC-Schottky Diode , 650V / 10.1A, 2+Tab-Pin D2PAK

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FFSB0865B-F085- Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, D2PAK Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) für die Automobilindustrie, 650 V

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
PPAP-fähig
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	D2PAK
Dauer-Durchlassstrom max.	10.1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2+Tab
Maximaler Spannungsabfall	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Durchlassstrom max.	10.1A