Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon THT SiC-Schottky Diode , 650V / 12A, 2-Pin PG-TO220

RS Best.-Nr.:: 216-8386
Herst. Teile-Nr.:: IDH12G65C5XKSA2
Marke:: Infineon

Infineon THT SiC-Schottky Diode , 650V / 12A, 2-Pin PG-TO220

1788 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

4,375 €

(ohne MwSt.)

5,206 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	4,375 €	8,75 €
10 - 18	3,67 €	7,34 €
20 - 48	3,455 €	6,91 €
50 - 98	3,19 €	6,38 €
100 +	2,975 €	5,95 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 216-8386
Herst. Teile-Nr.:: IDH12G65C5XKSA2
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IDH12G65C5XKSA2

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon CoolSiC Generation 6 bietet eine neue Spitzentechnologie für die Schottky-Diode mit einem Nennstrom von 12 A. Diese neueste Generation ist für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silberbox- und Beleuchtungsanwendungen geeignet.

Klassenbeste Leistungszahl
Keine Rückgewinnungsladung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe dv/dt-Robustheit
Optimiertes thermisches Verhalten

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	PG-TO220
Dauer-Durchlassstrom max.	12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky