Infineon IDH12G65C6 Durchsteckmontage Schottky-Barrier-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 12 A, 2-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 216-8388
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH12G65C6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | Schottky-Barrier-Diode | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Maximaler Dauerdurchlassstrom If | 12A | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm | 650V | |
| Serie | IDH12G65C6 | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 64A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Spitzensperrstrom Ir | 92μA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 29.95mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ Schottky-Barrier-Diode | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Maximaler Dauerdurchlassstrom If 12A | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm 650V | ||
Serie IDH12G65C6 | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Gleichrichter-Typ Schottky-Diode | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 64A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Spitzensperrstrom Ir 92μA | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 29.95mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolSiC Generation 5 bietet eine neue Spitzentechnologie für die Schottky-Diode mit einem Nennstrom von 12 A. Diese neueste Generation ist für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silberbox- und Beleuchtungsanwendungen geeignet.
Klassenbeste Leistungszahl
Keine Rückgewinnungsladung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe dv/dt-Robustheit
Optimiertes thermisches Verhalten
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