Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 10A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4833
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW10G120C5BFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
4,826 €
(ohne MwSt.)
5,743 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,826 € | 144,78 € |
| 60 - 120 | 4,584 € | 137,52 € |
| 150 + | 4,391 € | 131,73 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 222-4833
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW10G120C5BFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 10 A in einem TO-247-3-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.
Klassenbeste Durchlassspannung (VF)
Keine Rückgewinnungsladung
Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF
Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit
Exzellente Wärmeleistung
Keine Rückgewinnungsladung
Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF
Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit
Exzellente Wärmeleistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 10A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 1200V |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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