- RS Best.-Nr.:
- 249-6932
- Herst. Teile-Nr.:
- IDL06G65C5XUMA2
- Marke:
- Infineon
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- 249-6932
- Herst. Teile-Nr.:
- IDL06G65C5XUMA2
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Schottky-Diode von Infineon besteht aus Siliziumkarbid als revolutionärem Halbleitermaterial. Der von Infineon entwickelte Diffusionslötprozess, der bereits mit dem G3 eingeführt wurde, wird nun mit einem neuen Verfahren kombiniert. Es zeichnet sich durch eine kompaktere Bauweise und die Thin-Wafer-Technologie aus.
Revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid
Benchmark-Schaltverhalten
Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe Stoßstromkapazität
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Qualifiziert gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen
Unterbrechungsspannung geprüft bei 4, 5mA2
Optimiert für Hochtemperaturbetrieb
Benchmark-Schaltverhalten
Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe Stoßstromkapazität
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Qualifiziert gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen
Unterbrechungsspannung geprüft bei 4, 5mA2
Optimiert für Hochtemperaturbetrieb
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | PG-VSON-4 |
Dauer-Durchlassstrom max. | 6A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
Serie | XDL06G65 |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | SiC-Schottky |
Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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