Infineon IDK04G65C5 SMD Diode, 650V / 4A PG-TO263-2

Die Infineon 5. Generation thinQ! Die SiC-Schottky-Diode ist ein proprietäres Diffusionslötverfahren, das bereits mit G3 eingeführt wurde und nun mit einer neuen, kompakteren Bauweise und Dünnwafer-Technologie kombiniert wird. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie, die über alle Belastungsbedingungen einen verbesserten Wirkungsgrad aufweist, was sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf eine geringere Leistungsfähigkeit zurückzuführen ist. Der neue thinQ!Die TM-Generation 5 wurde entwickelt, um unsere 650-V-CoolMOS-Familien zu ergänzen, um die strengsten Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich zu erfüllen.

Revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid
Benchmark-Schaltverhalten
Keine Rückwärtswiederherstellung/Keine Vorwärtswiederherstellung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz/erhöhter Leistungsdichte
Höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen
Geringere elektromagnetische Störungen