- RS Best.-Nr.:
- 842-7797
- Herst. Teile-Nr.:
- MBR2H200SFT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
On Semiconductor Schottky-Dioden
Dieser on Semiconductor Schottky-Leistungsgleichrichter verwendet das Schottky-Barriereprinzip mit einem Sperrmetall, um den besten Durchlassspannungs-Rückstromwechsel zu erzielen. Geeignet für Niederspannungs-, Hochfrequenzgleichrichtung sowie eine Freilauf- und Polaritätsschutzdiode in einer Reihe von SMD-Anwendungen, wo immer eine kompaktere Größe und ein größeres Gewicht entscheidend sind.
bleifrei
entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage
Belastungsschutz
Epoxidharz-Spritzgussgehäuse
Leichtes 11,7-mg-Gehäuse
entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage
Belastungsschutz
Epoxidharz-Spritzgussgehäuse
Leichtes 11,7-mg-Gehäuse
Normen
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV-, SBR- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOD-123 |
Dauer-Durchlassstrom max. | 2A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 200V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | Schottky |
Pinanzahl | 2 |
Maximaler Spannungsabfall | 940mV |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodentechnologie | Schottky |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 30A |
- RS Best.-Nr.:
- 842-7797
- Herst. Teile-Nr.:
- MBR2H200SFT1G
- Marke:
- onsemi